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手機芯片龍頭高通射頻器件轉換制程:CMOS轉向砷化鎵

2015年08月02日 來源:互聯網 作者:創易達電子 人瀏覽

 OFweek電子工程網訊 全球手機芯片龍頭高通(Qualcomm)布局功率放大器(PA)等射頻(RF)元件策略轉向,擬由現行委由臺積電代工的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)制程,轉為砷化鎵制程,宏捷科、穩懋等代工廠有機會受惠,對臺積電影響則待觀察。
  高通2014年推出自家的射頻元件方案“RF360”,是采用半導體CMOS制程的PA,具低成本優點,且由臺積電以八寸廠制造,再搭配自家手機芯片出貨,與其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應商采用砷化鎵(GaAs)制程不同。
  不過,高通日前甫宣布與日系零組件大廠TDK合資,擬在新加坡設立新公司“RF360 Holdings Singapore”,其中TDK旗下從事射頻模組業務的子公司EPCOS,會將部分業務分拆出來成立“RF360”,代表高通對RF元件布局將有改變, 成為日前法說會焦點之一。
  
  高通執行長莫倫科夫(Steve Mollenkopf)回應時表示,與TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”(即砷化鎵PA)將于2017年生產,這是一個比較合適的時間點,屆時會再尋找合適的應用市場。
  法人認為,以莫倫科夫說法來看,代表高通旗下RF元件采用的PA制程,將由現行CMOS轉向砷化鎵,在這個架構下,未來勢必還要調整代工廠,由目前的臺積電轉至穩懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。
  由于高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA,市場預期,今年會開始尋找合適代工廠,最快年底就會有樣品,明年就能上市。
  在智慧型手機轉進第四代行動通訊(4G)時代,使用PA顆數至少七至八顆,比3G手機多出一到兩顆,加上這兩年4G手機數量呈跳躍式成長,帶動一波RF元件動能。
  相較高通推出自家PA等RF元件,競爭對手聯發科則是采合作方式,在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠Vanchip的元件,避免周邊零組件供應出現長短腳現象。

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